題 目：Particle and Photon detector research at Ru?erBos?kovic? Institute (RBI)（RBI的粒子光子探測(cè)器研究進(jìn)展）
報(bào)告人：Jaakko H?rk?nen 教授
ERA Chair at Ru?er Bo?kovi? Institute
主持人：李正 教授
時(shí) 間：2018年12月7日下午2：30
地 點(diǎn)：第二教學(xué)樓319室
報(bào)告人簡(jiǎn)介：
Jaakko教授是世界知名的半導(dǎo)體探測(cè)器專(zhuān)家，2001年于A(yíng)alto university獲得博士學(xué)位，2001至2012年在Helsinki Institute of Physics研究以直拉單晶硅為基體材料的強(qiáng)子輻射探測(cè)器的制作。同時(shí)是Co-spokesperson of CERN RD39 Collaboration以及Convener for CERN RD50 Collaboration。2008年作為芬蘭硬件組的領(lǐng)導(dǎo)人，負(fù)責(zé)CERN LHC加速器的CMS實(shí)驗(yàn)。2016年作為ERA (European Research Area) 主席，ERA(歐洲研究區(qū))項(xiàng)目的目標(biāo)是在Ru?er Bo?kovi? Institute(RBI)建立一個(gè)專(zhuān)注于半導(dǎo)體輻射探測(cè)器的小組和設(shè)施。Jaakko教授至今已發(fā)表論文500論文，其中約100篇發(fā)表在同行評(píng)審的期刊。其研究?jī)?nèi)容主要涉及半導(dǎo)體加工、輻射探測(cè)器、高能物理儀器和硅探測(cè)器的抗輻射加固。
報(bào)告內(nèi)容簡(jiǎn)介：
英文：A design, fabrication process and characterization of photon detectors will be presented made of bulk Cadmium Telluride (CdTe) crystals, silicon drift detectors (SDD) and silicon detectors attached with conversion layer scintillator materials (SiS). The Si wafer and chip-scale CdTe detector processing with related interconnection processing was carried out in clean room premises of Micronova center in Espoo, Finland. Unlike Si wafers, CdTe processing must be carried out at the temperatures lower than 150?C. Thus, we have developed a low temperature passivation layer processes of aluminum oxide (Al2O3) grown by Atomic Layer Deposition (ALD) method. The CdTe crystals the size of 10 × 10 × 0.5mm3 were patterned with proximity-contactless photo-lithography techniques. The detector properties were characterized by IV-CV, Transient Current Technique (TCT) and scanning micrometer precision proton beam methods. The experimental results were verified with TCAD simulations with appropriate defect and material parameters.
中文：講座介紹了一種由碲化鎘晶體、硅漂移探測(cè)器和帶有轉(zhuǎn)換層閃爍體材料的硅探測(cè)器組成的光子探測(cè)器的設(shè)計(jì)、制備和表征方法。Si晶片和芯片級(jí)CdTe探測(cè)器的處理以及相關(guān)的互連處理在Espoo的Micronova center潔凈室進(jìn)行。不同于硅芯片，CdTe處理必須在溫度低于150?C。因此，我們開(kāi)發(fā)了一種用原子層沉積法生長(zhǎng)氧化鋁(Al2O3)的低溫鈍化層工藝。大小為10×10×0.5 mm3的CdTe單晶通過(guò)鄰近非接觸式光刻技術(shù)來(lái)制作。采用IV-CV、瞬變電流技術(shù)(TCT)和掃描微米精度質(zhì)子束的方法對(duì)探測(cè)器性能進(jìn)行了表征。通過(guò)調(diào)節(jié)缺陷和材料參數(shù)將其帶入TCAD仿真中，驗(yàn)證了實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。
